委比:-- 委差:--
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| 卖三 | -- | -- |
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| 外盘:-- | 内盘:-- |
| 时间 | 成交价 | 现手 | 性质 |
|---|---|---|---|
| 1 | 1 | 1 | 1 |
资金流向历史统计
近5日内该股资金总体呈流入状态,高于行业平均水平,5日共流入6779.27万元。
近5日内该股资金总体呈流入状态,高于行业平均水平,5日共流入10562.31万元。
据统计,近10日内主力筹码很集中,呈高度控盘状态。
公司资料
| 公司名称: 拓荆科技股份有限公司 | 所属地域: 辽宁省 | |
| 所属行业: 电子 — 半导体及元件 | 主营业务: 高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。 | |
| 董事长: 吕光泉 | 董秘: 赵曦 | |
| 实控人: - | ||
| 最终控制人: - | ||
| 总股本: 2.82亿股 | 流通股本: 2.82亿股 | 总市值: 亿 |
| 公司简介: 拓荆科技股份有限公司的主营业务是高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司的主要产品是等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)、原子层沉积设备(ALD设备)、次常压化学气相沉积设备(SACVD设备)、高密度等离子体化学气相沉积设备(HDPCVD设备)、流动性化学气相沉积设备(FlowableCVD设备)。公司通过自主研发,形成了一系列独创性的设计,构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末,公司累计申请专利1783项(含PCT),获得授权专利581项,其中发明专利294项。公司先后承担了多项国家重大专项/课题,研发并推出的基于不同平台类型且支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和FlowableCVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产,在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术,构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台,性能达到了国际同类设备水平,并持续迭代升级产品性能,快速响应客户先进技术需求。 | ||
发行相关
| 最新进度: 注册生效 | ||
| 成立日期: 2010-04-28 | 发行数量: 3161.98万股 | 发行价格: 71.88元 |
| 上市日期: 2022-04-20 | 发行市盈率: - | 实际募资: 22.73亿元 |
| 首日开盘价: 95.01元 | 发行中签率: 0.04% | 首日涨跌幅: 28.41% |
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- 拓荆科技:2026年第一次临时股东会决议公告 2026-01-27
- 拓荆科技:北京市中伦律师事务所关于拓荆科技股 2026-01-27
- 拓荆科技:关于持股5%以上股东权益变动触及1%刻 2026-01-23
- 拓荆科技:2026年第一次临时股东会会议资料 2026-01-21
- 拓荆科技:关于2022年限制性股票激励计划第三个 2026-01-13
- 拓荆科技:关于持股5%以上股东权益变动触及1%刻 2026-01-13
- 拓荆科技:关于召开2026年第一次临时股东会的通 2026-01-10
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